Authors Lidia Aguilera-Martínez Citation Key 199 COinS Data Date Published 07/2005 Publisher Universitat Autònoma de Barcelona Year of Publication 2005 ← Efecte de la capa interficial de SiO2 en la degradació dielèctrica de stacks de HfO2/SiO2 en dispositius MOS sotmesos a estressos estàtics i dinàmics → Ruptura dielèctrica del SiO2 en el nMOSFET: modelat DC i efecte en circuits digitals CMOS