Authors M. Porti, X. Aymerich, M. Nafría, X. Blasco, and L. Aguilera Citation Key 204 COinS Data Date Published 2007 Pagination 501- 505 Journal Microelectronic Engineering Volume 84(3) Year of Publication 2007 ← Degradació i ruptura del SiO2 en condicions dinàmiques d’estrés → Nanoscale electrical characterization of Si-nc based memory MOS devices