{"id":179,"date":"2009-05-25T13:20:37","date_gmt":"2009-05-25T11:20:37","guid":{"rendered":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/investigacion\/"},"modified":"2010-01-21T13:44:51","modified_gmt":"2010-01-21T11:44:51","slug":"investigacion","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/investigacion\/","title":{"rendered":"Investigaci\u00f3n"},"content":{"rendered":"<p><strong>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &#8212;&nbsp; EN CONSTRUCCI\u00d3N&nbsp; &#8212;<\/strong><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p><strong>1) Objectivos:<\/strong><\/p>\n<p><strong>La investigaci\u00f3n de REDEC<\/strong> se centra en la fiabilidad y variabilidad de dispositivos CMOS nanoelectr\u00f3nicos, de dispositivos emergentes&nbsp; y de los circuitos en que se integran. &nbsp;Para la caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica y modelado de la variabilidad dependiente del tiempo de los dispositivos de estas tecnolog\u00edas se adopta una aproximaci\u00f3n multinivel, que cubre desde la nanoescala hasta los niveles de dispositivo y circuito. El objetivo final es el desarrollo de modelos compactos (basados en la f\u00edsica de los dispositivos) que puedan ser incluidos en los simuladores de fiabilidad de circuitos que se requieren en el contexto del \u2018Dise\u00f1o para la Fiabilidad\u2019. Esta aproximaci\u00f3n se hace extensiva a otros dispositivos nanoelectr\u00f3nicos emergentes, como los basados en la Conmutaci\u00f3n Resistiva y en el grafeno.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p><strong>2) Palabras clave:<\/strong><\/p>\n<p>Tecnolog\u00eda CMOS, nanoelectr\u00f3nica, fiabilidad, variabilidad, caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica, microscop\u00eda de fuerzas&nbsp; at\u00f3micas, mecanismos de envejecimiento, modelado compacto, simulaciones TCAD, Conmutaci\u00f3n Resistiva, RRAM, dispositivos de grafeno, hardware neurom\u00f3rfico<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p><strong>3) Lineas de investigaci\u00f3n:<\/strong><\/p>\n<ul>\n<li>Caracterizaci\u00f3n y modelado de los mecanismos de envejecimiento (RTN, BTI, HCI) en dispositivos nanoelectr\u00f3nicos avanzados, incluyendo la variabilidad asociada al proceso de fabricaci\u00f3n.<\/li>\n<\/ul>\n<ul>\n<li>Modelado compacto de los mecanismos de envejecimiento, para su inclusi\u00f3n en simuladores de fiabilidad de circuitos.<\/li>\n<\/ul>\n<ul>\n<li>Dispositivos &#8216;Resistive Switching&#8217;. Caracterizaci\u00f3n y modelado. Arquitecturas&nbsp; de computaci\u00f3n.<\/li>\n<\/ul>\n<ul>\n<li>Fuentes de variabilidad en nanodispositivos basados en grafeno.<\/li>\n<\/ul>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/grupsderecerca.uab.cat\/redec\/es\/content\/impacto-de-los-mecanismos-de-fallo-en-el-funcionamiento-de-dispositivos-y-circuitos\">Impacto de los mecanismos de fallo en el funcionamiento de dispositivos y circuitos<\/a><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p><a href=\"http:\/\/grupsderecerca.uab.cat\/redec\/es\/content\/caracteritzaci%C3%B3n-escala-nanom%C3%A9trica-de-las-propiedades-el%C3%A9ctricas-y-la-fiabilidad-de-disposi\">Caracteritzaci\u00f3n a escala nanom\u00e9trica de las propiedades el\u00e9ctricas y la fiabilidad de dispositivos electr\u00f3nicos<\/a><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &#8212;&nbsp; EN CONSTRUCCI\u00d3N&nbsp; &#8212; &nbsp; 1) Objectivos: La investigaci\u00f3n de REDEC se centra en la fiabilidad y variabilidad de dispositivos CMOS nanoelectr\u00f3nicos, de dispositivos emergentes&nbsp; y de los circuitos en que se integran. &nbsp;Para la caracterizaci\u00f3n el\u00e9ctrica y modelado de la variabilidad dependiente del tiempo de los dispositivos de estas tecnolog\u00edas se adopta una [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":20,"featured_media":0,"parent":0,"menu_order":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"","meta":{"footnotes":""},"class_list":["post-179","page","type-page","status-publish","hentry"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/179","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/pages"}],"about":[{"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/page"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/20"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=179"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/179\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/webs.uab.cat\/redec\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=179"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}