Authors Esteve Amat-Bertran Citation Key 186 COinS Data Date Published 12/2009 University Universitat Autònoma de Barcelona Advisor R. Rodríguez Year of Publication 2009 ← CAFM nanoscale electrical characterization of gate stacks for advance MOS devices → Modelado de los efectos de la ruptura dieléctrica, BTI y variabilidad en MOSFETs ultraescalados para la simulación de circuitos