Breu presentació:
Montserrat Nafría es va doctorar en Física per la Universitat Autònoma de Barcelona, Espanya, el 1993, on actualment és Catedràtica d’universitat al Departament d’Enginyeria Electrònica. La seva recerca es centra principalment en la fiabilitat de dispositius i circuits CMOS. Actualment, treballa en la caracterització i modelat de la degradació (BTI i Channel Hot-Carriers) i variabilitat de dispositius MOS. Aquests estudis engloben des de l’anàlisi dels fenòmens a nivell nano mitjançant l’ús de tècniques AFM (Atomic Force Microscopy), fins el desenvolupament de models per a simuladors de circuits que permeten tenir en compte la variabilitat dels dispositius amb el pas del temps. També està interessada en la caracterització y modelat de dispositius basats en l’efecte Resistive Switching, i en estructures y dispositius emergents basats en el grafè. És autora o coautora de més de 200 publicacions en revistes científiques i conferències en aquests camps.
ORCID: 0000-0002-9549-2890