Breu presentació:
Albert Crespo Yepes, nascut a Barcelona (1982), es va diplomar en Enginyeria Tècnica de Telecomunicacions (Sistemes Electrònics) el 2005, i posteriorment es va llicenciar en Enginyeria Superior de Telecomunicacions el 2008, ambdues a la UAB (Universitat Autònoma de Barcelona). Durant el curs 2008-09 es va treure els estudis de màster en micro i nano Electrònica. En el 2012 va finalitzar els seus estudis de doctorat en Enginyeria Electrònica en el grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits (Reliability of Electron DEvices and Circuits, REDEC) del Departament d’Enginyeria Electrònica de la UAB (2012). Actualment és investigador post Doctoral en aquest grup i imparteix classes en aquesta universitat. Els seus treballs es centren en la caracterització i estudi de la fiabilitat i els mecanismes de degradació i envelliment, tals com la ruptura dielèctrica (TDDB), Injecció de portadors calents (CHC) i Bias Temperature Instabily (BTI), dels dispositius electrònics de tecnologia CMOS d’última generació, així com el seu impacte en la funcionalitat i rendiment de circuits analògics i digitals. També ha realitzat amplis estudis sobre el fenomen de Resistive Switching, el qual ha pres molta rellevància els últims anys per les seves aplicacions en el camp de les memòries no volàtils i els circuits neuromòrfics. Altres contribucions rellevants estan centrades en la caracterització de dispositius i tecnologies emergents, tals com la tecnologia Inkjet printed i Organic Thin Film Transistors (OTFTs), per noves aplicacions de baix consum i baix cost, tals com IoT, computació, sensat i instrumentació.