Authors Mario Lanza Citation Key 196 COinS Data Date Published 07/2007 Publisher Universitat Autònoma de Barcelona Tertiary Authors M. Porti Year of Publication 2007 ← Ruptura en condiciones de estrés dinámico en transistores MOSFET con dieléctricos high-k → Efectes de la degradació de l’òxid de porta en MOSFETs nanomètrics: Modelat SPICE i impacte en circuits