Authors Marc Porti-Pujal Citation Key 201 COinS Data Date Published 09/2000 Publisher Universitat Autònoma de Barcelona Tertiary Authors X. Aymerich i M. Nafría Year of Publication 2000 ← Ruptura dielèctrica del SiO2 en el nMOSFET: modelat DC i efecte en circuits digitals CMOS → Distribucions de càrrega atrapada en l’òxid de porta de dispositius MOS en condicions d’estrés estàtic i dinàmic