Authors Raúl Fernández-García Citation Key 188 COinS Data Date Published 0772007 University Universitat Autònoma de Barcelona Advisor M. Nafría i R. Rodríguez Year of Publication 2007 ← Modelado de los efectos de la ruptura dieléctrica, BTI y variabilidad en MOSFETs ultraescalados para la simulación de circuitos → Caracterizació elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb C-AFM: SiO2 i dielèctrics d’alta permitivitat