REDEC disposa de dos laboratoris totalment equipats per la caracterizació de dispositius i circuits a nivel macroscòpic i nanoscòpic.
|
Laboratori de Caracterizació Macroscòpica
Equipament:
- 4284A Precision LCR Meter
- 4156C Precision Semiconductor Parameter Analyzer
- 4155 Precision Semiconductor Parameter Analyzer
- K4200 Semiconductor Characterization System amb PGU
- E5250A Low Leakage switch Mainframe
- 81101A Pulse Generator
- 2431L Oscilloscope
- Software Metrics Agilent I/CV
- SUN Blade 1500
- T-CAD Synopsis software
- PCI-GPIB Board
- HC100 Plotter
- 2 Caixes de Faraday
- Manual Station Probe Wentworth
- Semi-Automatic Station Probe Cascade REL-6100
- TP03010B Termochuck
- APC SAI 2200
Aquest equipament és utilitzat per l’estudi de l’impacte dels diferents mecanismes de fallada relacionats amb l’òxid de porta de dispositius MOS (degradació i ruptura dielèctrica, Negative Bias Temperature Instability, channel hot carrier degradation) en el funcionament dels dispositius i circuits electrònics.
|
 |
|
Laboratori de Caracterizació Nanoscòpica
Equipament:
- 4145 Semiconductor Parameter Analyzer
- TDS 220 Oscilloscope
- Low noise preamplifier FEMTO
- Faraday Box
- C-AFM (Conductive Atomic Force Microscope) de Nanotec
- C-AFM amb ambient controlat de Scientec
- ECAFM (Enhaced Conductive Atomic Force Microscope)
- AFG5501 Arbitrari Function Generator
- TK-C1380 Video Camara
- 2636 System Sourcemeter
Aquest equipament és utilitzat per caracteritzar elèctricament i avaluar la fiabilitat dels dispositius electrònics a escala nanomètrica.
|
 |