—  EN CONSTRUCCIÓN  —

 

1) Objectivos:

La investigación de REDEC se centra en la fiabilidad y variabilidad de dispositivos CMOS nanoelectrónicos, de dispositivos emergentes  y de los circuitos en que se integran.  Para la caracterización eléctrica y modelado de la variabilidad dependiente del tiempo de los dispositivos de estas tecnologías se adopta una aproximación multinivel, que cubre desde la nanoescala hasta los niveles de dispositivo y circuito. El objetivo final es el desarrollo de modelos compactos (basados en la física de los dispositivos) que puedan ser incluidos en los simuladores de fiabilidad de circuitos que se requieren en el contexto del ‘Diseño para la Fiabilidad’. Esta aproximación se hace extensiva a otros dispositivos nanoelectrónicos emergentes, como los basados en la Conmutación Resistiva y en el grafeno.

 

2) Palabras clave:

Tecnología CMOS, nanoelectrónica, fiabilidad, variabilidad, caracterización eléctrica, microscopía de fuerzas  atómicas, mecanismos de envejecimiento, modelado compacto, simulaciones TCAD, Conmutación Resistiva, RRAM, dispositivos de grafeno, hardware neuromórfico

 

3) Lineas de investigación:

  • Caracterización y modelado de los mecanismos de envejecimiento (RTN, BTI, HCI) en dispositivos nanoelectrónicos avanzados, incluyendo la variabilidad asociada al proceso de fabricación.
  • Modelado compacto de los mecanismos de envejecimiento, para su inclusión en simuladores de fiabilidad de circuitos.
  • Dispositivos ‘Resistive Switching’. Caracterización y modelado. Arquitecturas  de computación.
  • Fuentes de variabilidad en nanodispositivos basados en grafeno.

 

Impacto de los mecanismos de fallo en el funcionamiento de dispositivos y circuitos

 

Caracteritzación a escala nanométrica de las propiedades eléctricas y la fiabilidad de dispositivos electrónicos