Authors Marc Porti-Pujal Citation Key 190 COinS Data Date Published 04/2003 University Universitat Autònoma de Barcelona Advisor X. Aymerich y M. Nafría Year of Publication 2003 ← Caracterizació elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb C-AFM: SiO2 i dielèctrics d’alta permitivitat → Anàlisis de la degradació i ruptura dielèctrica de capes fines de SiO2 en dispositius MOS sotmesos a estressos estàticos i dinàmics