Authors Esteve Amat-Bertran Citation Key 198 COinS Data Date Published 07/2006 Publisher Universitat Autònoma de Barcelona Tertiary Authors R. Rodríguez Year of Publication 2006 ← Efectes de la degradació de l’òxid de porta en MOSFETs nanomètrics: Modelat SPICE i impacte en circuits → Propietats elèctriques a escala nanomètrica de dispositius MOS amb dielèctrics de porta basats en Hafni