Breu presentació:
Albert Crespo Yepes, nacido en Barcelona (1982), se diplomó en Ingeniería Técnica de Telecomunicaciones (Sistemas Electrónicos) el 2005, y posteriormente, se licenció en Ingeniería Superior de Telecomunicaciones el 2008 en la UAB (Universitat Autònoma de Barcelona). Durante el curso 2008-09 obtuvo los estudios de master en micro y nano Electrónica. Finalizó sus estudios de doctorado en Ingeniería Electrónica con el grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC) del Departamento de Ingeniería Electrónica de la UAB (2012). Actualmente es investigador post Doctoral en este grupo, y sus trabajos están centrados en el estudio y caracterización de la ruptura dieléctrica (Dielectric Breakdown) y su reversibilidad (Dielectric Breakdown Reversibility) en transistores MOS basados en dieléctrico de puerta high-k ultra delgado, y en el fenómeno Resistive Switching, ampliamente estudiado por sus aplicaciones en el campo de las memorias no volátiles. Así com el estudio de mecanismos de degradación de dispositivos en circuitos tales como LNAs o PAs, tan necesarias para las comunicaciones inalámbricas hoy en día. También ha realizado trabajos destacados relacionados con la caracterización de dispositivos fabricados con tecnología Inkject Printing y Organic Thin Film Transistors (OTFTs).