Breu presentació:
Montserrat Nafría obtuvo el título de Doctor en Física por la Universidad Autónoma de Barcelona, España, en 1993, en la que actualmente es Catedrática de Universidad en el Departamento de Ingeniería Electrónica. Su investigación se centra principalmente en la fiabilidad de dispositivos y circuitos CMOS. Actualmente trabaja en la caracterización y modelado de la degradación (BTI y Channel Hot-Carriers) y variabilidad de dispositivos MOS. Estos estudios engloban desde el análisis de los fenómenos a nivel nano mediante el uso de técnicas AFM (Atomic Force Microscopy), hasta el desarrollo de modelos para simuladores de circuitos que permiten tener en cuenta la variabilidad de los dispositivos con el paso del tiempo. También está interesada en la caracterización y modelado de dispositivos basados en el efecto Resistive Switching, y en estructuras y dispositivos emergentes basados en el grafeno. Es autora o coautora de más de 200 publicaciones en revistas científicas y conferencias en estos campos.
ORCID: 0000-0002-9549-2890