Breu presentació:
Vanessa Iglesias licenciada en física en el 2006 por la Universidad de Santiago de Compostela. Posteriormente, se incorporó al grupo de “Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics” (REDEC) de la UAB (Universitat Autònoma de Barcelona) en 2008. Dentro de este grupo ha desarrollado su tesis doctoral “CAFM Nanoscale electrical properties and reliability of HfO2 based gate dielectrics in electron devices: Impact of the pollycrystallization and Resistive Switching” y actualmente trabaja como investigadora Post-doc en el campo de la nanocaracterización eléctrica de nuevos materiales y del Resistive Switching.