Breu presentació:
Vanessa Iglesias es va llicenciar en Física el 2006 per la Universitat de Santiago de Compostela. Posteriorment, es va incorporar al grup de “Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics” (REDEC) de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB) el 2008. Dins d’aquest grup ha desarrollat la seva tesi doctoral “CAFM Nanoscale electrical properties and reliability of HfO2 based gate dielectrics in electron devices: Impact of the pollycrystallization and Resistive Switching”, i actualment treballa com investigadora Post-doc en el campo de la nanocaracterizació elèctrica de nuos materials y del Resistive Switching.