— EN CONSTRUCCIÓ —
1) Objectius:
La investigació de REDEC es centra en la fiabilitat i variabilitat de dispositius CMOS nanoelectrònics, de dispositius emergents i dels circuits en que s’integren. Per la caracterització elèctrica i modelat de la variabilitat depenent del temps del dispositius d’aquestes tecnologies s’adopta una aproximació multinivell, que cobreix des de la nanoescala fins els nivells de dispositiu i circuit. L’objectiu final és el desenvolupament de models compactes (basats en la física dels dispositius) que puguin ser inclosos en els simuladors de fiabilitat de circuits que es requereixen en el context del ‘Disseny per la Fiabilitat’. Aquesta aproximació es fa extensiva a altres dispositius nanoelectrònics emergents, com els basats en la Commutació Resistiva i en el grafè.
2) Paraules clau:
Tecnologia CMOS, nanoelectrònica, fiabilitat, variabilitat, caracterització eléctrica, microscopía de forces atòmiques, mecanismes d’envelliment, modelat compacte, simulacions TCAD, Commutació Resistiva, RRAM, dispositius de Grafè, hardware neuromòrfic.
3) Linees de recerca:
- Caracterització i modelat dels mecanismes d’envelliment (RTN, BTI, HCI) en dispositius nanoelectrònics avançats, incloent la variabilitat associada al procés de fabricació. Avaluació en la nanoescala (amb CAFM) i a nivell de dispositiu.
- Modelat compacte dels mecanismes d’envelliment, per la seva inclusió en simuladors de fiabilitat de circuits.
- Dispositius ‘Resistive Switching’. Caracterització i modelat. Arquitectures de computació.
- Fonts de variabilitat en nanodispositius basats en grafè.
Impacte dels mecanismes de fallada en el funcionament de dispositius i circuits